SSD диск GOODRAM CL100 Gen.3 960GB 2.5" SATA (SSDPR-CL100-960-G3)

Опис

Твердотільний накопичувач GOODRAM CL100 Gen.3 960 ГБ (SSDPR-CL100-960-G3) - це твердотільний накопичувач початкового рівня, який забезпечує значне підвищення продуктивності як для настільних ПК, так і для ноутбуків. 

Основні характеристики

• Ємність і форм-фактор: накопичувач має ємність 960 ГБ і форм-фактор 2,5 дюйма, що робить його придатним для більшості ноутбуків і настільних ПК.
• Інтерфейс: використовується інтерфейс SATA III, що забезпечує сумісність з широким спектром пристроїв і максимальну швидкість передачі даних 6 Гбіт/с.
• Тип пам'яті: CL100 Gen.3 побудований за технологією 3D NAND Flash, яка відома своєю кращою продуктивністю, надійністю та ефективністю порівняно з традиційною планарною NAND.
• Продуктивність: твердотільний накопичувач забезпечує швидкість читання до 540 МБ/с і швидкість запису до 460 МБ/с. Ці швидкості дозволяють значно скоротити час завантаження і підвищити загальну швидкість відгуку системи.
• Умови експлуатації: твердотільний накопичувач призначений для роботи в діапазоні температур від 0°C до 70°C, а зберігати його можна в діапазоні температур від -45°C до 85°C, що робить його універсальним для різних середовищ.

Продуктивність та використання

• Захист даних: вбудоване програмне забезпечення CL100 Gen.3 включає функції для комплексного захисту даних, забезпечуючи їх цілісність і безпеку під час щоденного використання.
• Сфера використання: CL100 Gen.3 ідеально підходить для заміни традиційних жорстких дисків (HDD) і може вдихнути нове життя в старі системи, що робить його чудовим вибором як для домашнього, так і для офісного середовища, де потрібна підвищена швидкість і надійність.

Твердотільний накопичувач GOODRAM CL100 Gen.3 об'ємом 960 ГБ - це надійний і економічно вигідний варіант модернізації для користувачів, які бажають підвищити продуктивність своєї системи без зайвих витрат. Завдяки використанню технології 3D NAND, високій швидкості читання/запису та надійній гарантії він є конкурентоспроможним вибором на ринку твердотільних накопичувачів початкового рівня.